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晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。
碳對晶間腐蝕有顯著影響。隨著含碳量的增加，晶間腐蝕的趨勢越來越嚴重。它不僅擴大了晶間腐蝕趨勢的加熱溫度和時間范圍，而且加劇了晶間腐蝕程度，提高了固溶溫度。
晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
敏化晶間腐蝕發生在焊接構件或在450 ~ 850℃加熱的構件的焊縫熱影響區，在介質的作用下導致這些構件的泄漏或損壞;產生敏化晶間腐蝕的設備和部件的尺寸和形狀幾乎沒有變化，沒有任何塑性變形;除腐蝕區域外，其他部位無腐蝕跡象，仍有明顯的金屬光澤;局部抽樣檢測表明，腐蝕部位的強度和塑性已嚴重喪失。冷彎時，不僅有裂紋，還有脆性斷裂和顆粒脫落，地面上沒有金屬聲。
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