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晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。
在日本,最大的不銹鋼,輸出的輸出18-8cr鎳不銹鋼含鈦在美國僅占1 ~ 2%的鉻鎳不銹鋼的輸出,而中國仍占90%以上的鉻鎳不銹鋼的輸出。這不僅反映了我國不銹鋼生產和使用的不合理，也反映了我國不銹鋼生產和使用中鋼結構的落后狀況。
晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。
在不銹鋼可能產生晶間腐蝕的區域，是否發生晶間腐蝕以及腐蝕的程度是由鋼熱處理系統對晶間腐蝕的敏感性決定的，即取決于加熱的程度、時間和冷卻速度。在750℃以上，析出不連續顆粒，Cr容易擴散，不發生晶間腐蝕。在600 ~ 700℃時，網狀Cr23C6析出，晶間腐蝕最為嚴重。在600℃以下，Cr和C擴散緩慢，形成碳化物的時間較長，腐蝕減弱。450℃以下:難以晶間腐蝕。
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