σ相晶間沉淀理論:對于低碳高鉻高鉬不銹鋼，不存在鉻不良條件，但在650 ~ 850℃熱處理時，會形成42 ~ 48%的鉻σ相FeCr金屬間化合物。在過鈍化電位下，相腐蝕嚴重。陽極溶解電流急劇上升。σ可能是相本身的選擇性溶解。σ相FeCr金屬間化合物只能溶解在強氧化介質中。因此，必須用65%的強氧化沸騰硝酸檢測這類腐蝕，使不銹鋼的腐蝕電位達到過鈍化區。

然而，含穩定元素Ti和Nb的不銹鋼，特別是Ti，存在許多缺點。今天，隨著不銹鋼冶煉工藝的快速發展。一些缺點嚴重阻礙了不銹鋼冶煉生產的科技進步，給使用帶來了不必要的損失和危害。例如Ti的加入增加了鋼的粘度，降低了鋼的流動性，給不銹鋼的連續澆注過程帶來了困難;Ti的加入使鋼錠和鋼坯的表面質量惡化，這不僅大大增加了冶金廠的磨礦量，而且顯著降低了鋼材的成品率，從而增加了不銹鋼的成本;Ti的加入導致錫等非金屬夾雜物的形成，降低了鋼的純度，不僅惡化了鋼的拋光性能，而且錫等夾雜物經常成為點蝕源，降低了鋼的耐蝕性;含鈦不銹鋼焊接后，在介質的作用下，沿焊縫熔合線容易發生“刀蝕”，也會造成焊接結構和設備的腐蝕損傷。

晶間腐蝕:金屬材料在特定腐蝕介質中沿晶界發生的局部選擇性腐蝕。晶界是不同晶粒之間的邊界。由于晶粒有不同的取向，原子在結處的排列必須逐漸從一個取向轉變為另一個取向。因此，晶界實際上是一種“表面”不完整的結構缺陷。由于晶格畸變的增加，晶界處原子的平均能量高于晶內。較高的能量稱為晶界能。純金屬晶界在腐蝕介質中的腐蝕速率比晶體的腐蝕速率快，這是因為晶界的能量高，原子處于不穩定狀態。

晶間腐蝕條件:1。金屬或合金中含有雜質，或沿晶界析出第二相。2. 由于晶界和晶粒之間的化學成分不同，在合適的介質中形成腐蝕電池。晶界為陽極，晶界為陰極，晶界產生選擇性溶解。3.有一種特定的腐蝕性介質。